[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法有效
| 申请号： | 201710622000.9 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN107665769B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 国吉太 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;吕秀平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供H |
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| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：准备R‑T‑B系烧结磁体原材料的工序，所述R‑T‑B系烧结磁体原材料含有：R：29.5质量％以上35.0质量％以下、B：0.80质量％以上0.90质量％以下、Ga：0.1质量％以上0.8质量％以下、M：0质量％以上2质量％以下、剩余部分T和不可避免的杂质，其中，R为稀土元素的至少一种，必须含有Nd和Pr的至少一者，M为Cu、Al、Nb、Zr的至少一种，T为过渡金属元素的至少一种，必须含有Fe，Fe的10％以下能够被Co置换；实施第一RH扩散处理的工序，所述第一RH扩散处理将包含重稀土元素RH的RH扩散源和所述R‑T‑B系烧结磁体原材料配置在处理容器内，以760℃以上1000℃以下的温度对所述RH扩散源和所述R‑T‑B系烧结磁体原材料进行加热，其中，RH为Dy和Tb的至少一种；实施第二RH扩散处理的工序，所述第二RH扩散处理以750℃以上且低于1000℃并且比所述第一RH扩散处理的温度低的温度对所述第一RH扩散处理后的R‑T‑B系烧结磁体原材料进行加热；实施高温热处理的工序，所述高温热处理以730℃以上850℃以下并且比所述第二RH扩散处理的温度低的温度对所述第二RH扩散处理后的R‑T‑B系烧结磁体进行加热后，以5℃/分钟以上的冷却速度冷却到300℃；和实施低温热处理的工序，所述低温热处理以440℃以上550℃以下的温度对高温热处理后的R‑T‑B系烧结磁体进行加热。
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