[发明专利]具互连结构的半导体装置与其制作方法有效
| 申请号： | 201710623649.2 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN108615702B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 杨岱宜;朱韦臻;刘相玮;眭晓林;苏莉玲;吴永旭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具互连结构的半导体装置的制作方法。光微影上覆误差为导致低晶圆产量的图案化缺陷的一来源。本文揭露一种使用具有自对准互连件的图案化光微影/蚀刻制程的互连件形成制程。此互连形成制程尤其改良光微影上覆(OVL)边际，因为对准是在较宽图案上完成。此外，此图案化光微影/蚀刻制程支持多金属间隙填充及具有空穴的低介电常数介电质形成。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 半导体 装置 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种具互连结构的半导体装置的制作方法，其特征在于，包含：提供一基板；在该基板上方形成一介电质堆叠；在该介电质堆叠上形成由一第一导电材料制成的一第一互连层及由一第二导电材料制成的一第二互连层，其中该第一导电材料及该第二导电材料彼此不同；在该第一互连层上形成一第一金属氧化物层及在该第二互连层上形成一第二金属氧化物层；在该第一互连层及该第二互连层之间及在该第一金属氧化物层及该第二金属氧化物层上方形成一第一介电层，其中该第一介电层包含一空穴；以及在该第一介电层上方形成一第二介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
