[发明专利]一种微型磁通门传感器制备方法在审
申请号: | 201710624004.0 | 申请日: | 2017-07-27 |
公开(公告)号: | CN107367288A | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 侯晓伟;王飞;倪大成;郑良广;郭俊杰 | 申请(专利权)人: | 宁波中车时代传感技术有限公司 |
主分类号: | G01D5/12 | 分类号: | G01D5/12;C23C16/40 |
代理公司: | 宁波诚源专利事务所有限公司33102 | 代理人: | 张一平,王莹 |
地址: | 315021 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种微型磁通门传感器制备方法,选取两个高阻硅片,分别在两个高阻硅片上进行刻蚀,以使得两个高阻硅片键合后能够形成用于放置磁芯的磁芯腔、多个围绕在磁芯腔外周的螺线管腔以及与螺线管腔相连通的电极窗口。在螺线管腔内填充线圈材料,从而在螺线管腔内形成螺线管线圈。自磁芯腔中部的位置切割键合后的两个高阻硅片,使得磁芯腔一侧开口,自开口处将磁芯插入磁芯腔内,使用填充材料密封固定开口,从而完成微型磁通门传感器的制备。本发明中的微型磁通门传感器制备方法,螺线管线圈制作工艺简单,避免了使用微电镀工艺,降低了对环境的污染,缩减了成本。磁芯的设置方式,避免了对磁芯软磁性能的损害作用,提高磁芯的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 微型 磁通门 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种微型磁通门传感器制备方法,其特征在于:选取两个高阻硅片(1),分别在两个高阻硅片(1)上进行刻蚀,以使得两个高阻硅片(1)键合后能够形成用于放置磁芯(2)的磁芯腔(100)、多个围绕在磁芯腔(100)外周的螺线管腔(200)以及与螺线管腔(200)相连通的电极窗口(300);两个高阻硅片(1)键合前,在磁芯腔(100)对应在两个高阻硅片(1)上的位置沉积绝缘层;在螺线管腔(200)的内表面上沉积绝缘层,并在螺线管腔(200)内填充线圈材料,从而在螺线管腔(200)内形成螺线管线圈(3);自磁芯腔(100)中部的位置切割键合后的两个高阻硅片(1),使得磁芯腔(100)一侧开口,自开口处将带材磁芯(2)插入磁芯腔(100)内,使用填充材料密封固定开口,从而完成微型磁通门传感器的制备。
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