[发明专利]一种消除大尺寸碳化硅基底硅改性层内应力的方法

摘要

本发明提供一种消除大尺寸碳化硅基底硅改性层内应力的方法，属于薄膜技术领域。该方法通过在碳化硅基底硅改性层的成膜过程中，利用磁控溅射镀膜技术，设置镀膜工艺参数，在环状磁场控制下荷能离子轰击靶材，在SiC基底上沉积一定厚度的Si；然后停止溅射镀膜，更改镀膜工艺参数后，在SiC基底上继续沉积一定厚度的Si；然后停止溅射，反复修改工艺参数，重复上述步骤，最终制备出一定厚度的Si改性层。本发明方法消除了由于改性层内应力造成的膜层断裂现象和空气孔缺陷，有效降低了Si改性层内缺陷的产生，使大面积Si改性层的整体致密性非常良好，制备的大尺寸SiC基底Si改性层的致密度远远优于传统工艺制备Si改性层。

主权项

1.一种消除大尺寸碳化硅基底硅改性层内应力的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)在SiC基底Si改性层的成膜过程中，利用磁控溅射镀膜技术，设置镀膜工艺参数：Ar气体流量40～60sccm、真空室压强1.8×10^‑2Pa～2.0×10^‑2Pa、溅射速率射频电压1100～1300V、射频电流800～1200mA，在环状磁场控制下荷能离子轰击靶材，在SiC基底上沉积0.8～1.2微米厚度的Si；(2)停止溅射镀膜，更改镀膜工艺参数：Ar气体流量5～20sccm、真空室压强4.8×10^‑2Pa～5.2×10^‑2Pa、溅射速率射频电压700～800V、射频电流700～800mA，在SiC基底上继续沉积0.8～1.2微米厚度的Si；(3)重复步骤(1)和步骤(2)5～9次，最终制备出Si改性层。