[发明专利]一种具有辅助氧化埋层的半超结MOSFET有效
| 申请号： | 201710625714.5 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN107425070B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 任敏;罗蕾;李佳驹;谢驰;林育赐;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有辅助氧化埋层的半超结MOSFET，在第一导电类型半导体掺杂底部辅助层中引入辅助氧化埋层，并且该辅助氧化埋层的上端面高于第一导电类型半导体掺杂底部辅助层的上端面，位于第一导电类型半导体掺杂柱区中，引入的辅助氧化埋层改变了第一导电类型掺杂底端辅助层区的电场分布，加大其对耐压的贡献，从而增大了器件的耐压，同时辅助氧化埋层，在半超结MOSFET第二导电类型半导体掺杂柱区底部附近引入了电场峰值，从而将雪崩击穿点固定在第二导电类型半导体掺杂柱区底部附近，最终使雪崩击穿电流路径避开寄生BJT的基区电阻，在半超结MOSFET器件发生雪崩击穿时，有效避免寄生三极管的开启，从而提高半超结MOSFET器件在非箝位电感负载应用中的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 辅助 氧化 半超结 mosfet | ||
【主权项】：
一种具有辅助氧化埋层的半超结MOSFET，包括金属化漏电极(1)、第一导电类型半导体高掺杂衬底(2)、第一导电类型半导体掺杂底部辅助层(4)、第二导电类型半导体掺杂柱区(5)、第一导电类型半导体掺杂柱区(6)、多晶硅栅电极(10)、栅介质层(11)和金属化源电极(12)；所述第一导电类型半导体掺杂衬底(2)设在金属化漏电极(1)的上端面；所述第一导电类型半导体掺杂底部辅助层(4)设在第一导电类型半导体掺杂衬底(2)的上端面；第二导电类型半导体掺杂柱区(5)和第一导电类型半导体掺杂柱区(6)设在第一导电类型半导体掺杂底部辅助层(4)的上端面；其中第二导电类型半导体掺杂柱区(5)和第一导电类型半导体掺杂柱区(6)交替分布形成超结结构；第二导电类型半导体掺杂柱区(5)上端面设有第二导电类型半导体体区(7)，第二导电类型半导体体区(7)分别与第二导电类型半导体掺杂柱区(5)和第一导电类型半导体掺杂柱区(6)相接触；第二导电类型半导体体区(7)内部分别具有一个第一导电类型半导体掺杂源区(9)和一个第二导电类型半导体掺杂接触区(8)；所述多晶硅栅电极(10)位于第二导电类型半导体体区(7)和第一导电类型半导体掺杂柱区(6)的上端面，多晶硅栅电极(10)与第二导电类型半导体体区(7)和第一导电类型半导体掺杂柱区(6)之间通过栅介质层(11)相绝缘；所述金属化源电极(12)位于器件的最上层，其两端分别与两个第二导电类型半导体体区(7)中的第一导电类型半导体掺杂源区(9)和第二导电类型半导体掺杂接触区(8)相接触，金属化源电极(12)与多晶硅栅电极(10)之间通过栅介质层(11)相绝缘；其特征在于：所述第一导电类型半导体掺杂底部辅助层(4)中设有辅助氧化埋层(3)，所述辅助氧化埋层(3)的下端面与第一导电类型半导体掺杂衬底(2)的上端面连接，所述辅助氧化埋层(3)的上端面高于第一导电类型半导体掺杂底部辅助层(4)的上端面，辅助氧化埋层(3)的上端面位于第一导电类型半导体掺杂柱区(6)中。
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