[发明专利]外延设备保养方法在审
| 申请号： | 201710626408.3 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN107400921A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 陈海波 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C30B25/12;C30B25/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种外延设备保养方法，所述外延设备包括反应腔室，所述反应腔室具有进气口和出气口，所述反应腔室内设有基座，用于放置硅片，所述反应腔室内还安装有吸热装置，所述吸热装置位于基座与出气口之间、且位于反应腔室的上半部；所述外延设备保养方法包括刻蚀步骤，以移除所述反应腔室内沉积的多晶硅层，需向所述反应腔室通入刻蚀性气体氯化氢和载气氢气，刻蚀温度为1165℃‑1175℃。与现有技术相比，本发明提供的外延设备保养方法，可有效延长设备保养周期，保养周期提高至大于60000微米/次；提高设备产能利用率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 设备 保养 方法 | ||
【主权项】：
外延设备保养方法，其特征在于，所述外延设备包括反应腔室，所述反应腔室具有进气口和出气口，所述反应腔室内设有基座，用于放置硅片，所述反应腔室内还安装有吸热装置，所述吸热装置位于基座与出气口之间、且位于反应腔室的上半部；所述外延设备保养方法包括刻蚀步骤，以移除所述反应腔室内沉积的多晶硅层，向所述反应腔室通入刻蚀性气体氯化氢和载气氢气，刻蚀温度为1165℃‑1175℃。
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