[发明专利]一种石墨舟饱和双层膜结构及镀膜工艺和石墨舟在审
| 申请号： | 201710628196.2 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107564844A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 沈磊磊;董敬桃;丁建明;崔钟亨 | 申请（专利权）人： | 韩华新能源（启东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L31/18;C23C16/458 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 孙仿卫,林传贵 |
| 地址： | 215221 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨舟饱和双层膜结构及镀膜工艺和石墨舟，石墨舟饱和双层膜结构包括沉积在所述石墨舟上的耐腐蚀膜和沉积在所述耐腐蚀膜上的钝化膜。本发明的一种石墨舟双层膜结构，包括位于内侧的耐腐蚀膜层和位于外侧的钝化膜，耐腐蚀膜层具有绝缘、坚硬和致密的特性，在后续石墨舟的分拆、酸洗、烘干和再组装时，由于其耐腐蚀特性将保留在石墨舟片表面，防止石墨舟片被进一步腐蚀和氧化，保护石墨舟片；再次进行饱和工艺时，只需镀一层较薄钝化膜层即可形成较好饱和效果，能够形成对石墨舟的长效保护，使石墨舟始终保持良好地镀膜均匀性。本发明的镀膜工艺能够有效减少总体石墨舟饱和工艺时间、防止石墨舟损耗和获得更好的长期镀膜均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 饱和 双层 膜结构 镀膜 工艺 | ||
【主权项】：
一种石墨舟饱和双层膜结构，其特征在于，包括沉积在所述石墨舟上的耐腐蚀膜和沉积在所述耐腐蚀膜上的钝化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
