[发明专利]一种集成电路元器件的工艺方法有效
| 申请号： | 201710628361.4 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107546174B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 陈大鹏;焦斌斌;孔延梅;刘瑞文;云世昌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L25/00;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成电路元器件的工艺方法，包括：利用第一晶圆制作第一掺杂类型金属氧化物半导体场效应MOS器件，利用第二晶圆制作第二掺杂类型MOS器件；引出第一掺杂类型MOS器件的源极、漏极及栅极的引线；利用2M工艺纵向引出第二掺杂类型MOS器件各层的源极、漏极、栅极的引线及转接引线；基于所述转接引线，在引线界面利用键合工艺将第一引线及第二引线进行电连接，形成CMOS器件；对引线界面所在的硅基进行背面减薄，并对减薄后的硅基进行深硅刻蚀及金属填充，将CMOS器件的电接口引出至硅基背面，制作引线焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 元器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路元器件的工艺方法，其特征在于，所述方法包括：利用第一晶圆制作第一掺杂类型金属氧化物半导体场效应MOS器件，利用第二晶圆制作第二掺杂类型MOS器件；引出所述第一掺杂类型MOS器件的第一引线；所述第一引线包括：所述第一掺杂类型MOS器件的源极、漏极及栅极的引线；利用双金属层2M工艺纵向引出所述第二掺杂类型MOS器件各层的第二引线；所述第二引线包括：所述第二掺杂类型MOS器件的源极、漏极、栅极的引线及转接引线；基于所述转接引线，在引线界面利用键合工艺将第一引线及所述第二引线进行电连接，形成CMOS器件；对所述引线界面所在的硅基进行背面减薄，并对减薄后的所述硅基进行深硅刻蚀及金属填充，将所述CMOS器件的电接口引出至所述硅基背面，制作引线焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
