[发明专利]集成电路以及其制作方法在审
申请号: | 201710628490.3 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN109309085A | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 邱久容;林宏展;陈禹钧 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/04;H01L29/92 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种集成电路以及其制作方法。该集成电路包括第一绝缘层、底板、第一图案化介电层、中板、第二图案化介电层与上板。第一图案化介电层设置于底板上。中板设置于第一图案化介电层上。部分的底板、至少部分的第一图案化介电层与至少部分的中板设置于贯穿第一绝缘层的第一沟槽中。底板、第一图案化介电层与中板构成第一金属‑绝缘层‑金属电容器。第二图案化介电层设置于中板上。上板设置于第二图案化介电层上。中板、第二图案化介电层与上板构成第二金属‑绝缘层‑金属电容器,且底板与上板电连接。 | ||
搜索关键词: | 图案化介电层 底板 绝缘层 上板 集成电路 金属电容器 板设置 金属 电连接 制作 贯穿 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路,包括:第一绝缘层,其中一第一沟槽贯穿该第一绝缘层;底板,部分设置于该第一绝缘层上且部分设置于该第一沟槽中;第一图案化介电层,设置于该底板上,其中至少部分的该第一图案化介电层设置于该第一沟槽中;中板,设置于该第一图案化介电层上,其中至少部分的该中板设置于该第一沟槽中,且该底板、该第一图案化介电层以及该中板构成一第一金属‑绝缘层‑金属(metal‑insulator‑metal,MIM)电容器;第二图案化介电层,设置于该中板上;以及上板,设置于该第二图案化介电层上,其中该中板、该第二图案化介电层以及该上板构成一第二金属‑绝缘层‑金属电容器,且该底板与该上板电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的