[发明专利]一种高压ESD器件结构的制备方法、结构及其应用电路

摘要

本发明提供一种高压ESD器件结构的制备方法、结构及其应用电路，所述制备方法包括：于p型硅衬底形成高压n阱区域；于高压n阱区域的一侧形成p型体区；于高压n阱区域的另一侧形成n型扩散区域；于p型体区上形成第一p+和第一n+区域；于n型扩散区域上依次形成第二n+、第二p+、第三n+和第三p+区域，第二n+、第二p+、第三n+、第三p+区域与高压n阱区域及p型体区组成达林顿管；及于p型体区和高压n阱区域上形成第一栅氧层和第一多晶硅层，于高压n阱区域及n型扩散区域上形成第二栅氧层和第二多晶硅层。通过本发明的高压ESD器件结构的制备方法、结构及其应用电路，解决了现有ESD器件结构的电流泄放能力较弱的问题。

主权项

一种高压ESD器件结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S1：提供一p型硅衬底；S2：于所述p型硅衬底上表面进行n型离子注入，以形成高压n阱区域；S3：于所述高压n阱区域的一侧上表面进行p型离子注入，以形成p型体区；S4：于所述高压n阱区域的另一侧上表面进行n型离子注入，以形成n型扩散区域；S5：于所述p型体区上表面分别进行p型离子注入和n型离子注入，依次形成第一p+区域和第一n+区域，所述第一p+区域和第一n+区域通过导线连接，以形成源极；S6：于所述n型扩散区域上表面分别进行n型离子注入、p型离子注入、n型离子注入和p型离子注入，依次形成第二n+区域、第二p+区域、第三n+区域和第三p+区域，所述第二n+区域、第二p+区域、第三n+区域和第三p+区域通过导线连接，以形成漏极；其中，所述第二n+区域、第二p+区域、第三n+区域、第三p+区域与高压n阱区域及p型体区组成达林顿管；以及S7：于所述p型体区和高压n阱区域上表面形成第一栅氧层，同时于所述高压n阱区域及n型扩散区域上表面形成第二栅氧层，并于所述第一栅氧层上表面形成第一多晶硅层，以形成栅极，同时于所述第二栅氧层上表面形成第二多晶硅层，以形成金属场板。