[发明专利]一种高精度MEMS角度传感器敏感结构及加工方法在审

专利信息
申请号: 201710633123.2 申请日: 2017-07-28
公开(公告)号: CN107478198A 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 孙鹏;邱飞燕;范冬青;邢朝洋;徐杰;王超 申请(专利权)人: 北京航天控制仪器研究所
主分类号: G01C9/00 分类号: G01C9/00;G01C25/00;B81B7/02;B81C3/00
代理公司: 中国航天科技专利中心11009 代理人: 张欢
地址: 100854 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种高精度MEMS角度传感器敏感结构及加工方法,该敏感结构包括上玻璃极板、中间硅极板、下玻璃极板,及金丝引线;上玻璃极板和下玻璃极板上淀积有金属电极区域和介质膜区域形成电容的上极板和下极板;中间硅极板由两根悬臂梁连接一个方形质量块形成电容的中间极板;上玻璃极板、中间硅极板、下玻璃极板采用双电场静电键合方式形成“三明治”式敏感结构,再用金丝球焊机压焊金丝引出电容信号。本发明采用对称电容结构形式,采用湿法体硅加工方法,可以获得较大的质量块,提高角度分辨率和测量精度,可广泛应用于无人机、舰载设备、卫星通讯、工程机械、铁塔智能监测、太阳能追踪系统等平台的倾斜角度测量。
搜索关键词: 一种 高精度 mems 角度 传感器 敏感 结构 加工 方法
【主权项】:
一种高精度MEMS角度传感器敏感结构,其特征在于:包括上玻璃极板(1)、中间硅极板(2)、下玻璃极板(3)及金丝引线(4),中间硅极板(2)位于上玻璃极板(1)、下玻璃极板(3)之间;上玻璃极板(1)、中间硅极板(2)、下玻璃极板(3)上的金属焊盘分别引出金丝引线(4);上玻璃极板(1)、中间硅极板(2)、下玻璃极板(3)通过双电场静电键合方法使得玻璃材料与硅材料之间形成相连接的SiO2层,并由金丝引线(4)引出电容信号。
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