[发明专利]显示基板、显示装置及显示基板的制作方法有效
申请号: | 201710633520.X | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN107516661B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 晏国文;费强;徐伟齐;董正逵 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法,以同时兼顾不同宽长比的TFT的性能,提高显示装置的产品品质。显示基板包括设置于衬底基板上的宽长比小于设定比值的第一种薄膜晶体管和宽长比大于设定比值的第二种薄膜晶体管,每个薄膜晶体管包括:第一有源层,包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部;刻蚀阻挡层,设置于第一有源层远离衬底基板的一侧且暴露出第一连接部和第二连接部;源极和漏极,设置于刻蚀阻挡层远离衬底基板的一侧且分别与第一连接部和第二连接部连接;第一种薄膜晶体管还包括:设置于第一有源层靠近衬底基板一侧的第二有源层,第二有源层的载流子浓度大于第一有源层的载流子浓度。 | ||
搜索关键词: | 显示 显示装置 制作方法 | ||
【主权项】:
一种显示基板,其特征在于,包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的两种薄膜晶体管,分别为宽长比小于设定比值的第一种薄膜晶体管和宽长比大于设定比值的第二种薄膜晶体管,其中,每个薄膜晶体管包括:第一有源层,包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部;刻蚀阻挡层,设置于所述第一有源层远离所述衬底基板的一侧且暴露出所述第一连接部和所述第二连接部;源极和漏极,设置于所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板的一侧且分别与所述第一连接部和所述第二连接部连接;所述第一种薄膜晶体管还包括:设置于所述第一有源层靠近所述衬底基板一侧的第二有源层,所述第二有源层的载流子浓度大于所述第一有源层的载流子浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的