[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示面板有效
| 申请号： | 201710637890.0 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107359205B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 苏同上;王东方;周斌;赵策;袁广才 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/77 |
| 代理公司： | 11274 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张雨竹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，在薄膜晶体管的制作过程中，无需对栅绝缘薄膜进行大面积刻蚀。薄膜晶体管的制备方法，包括：在有源层上依次形成栅绝缘薄膜、栅金属薄膜和光刻胶；采用半色调掩模板对光刻胶进行曝光，光刻胶完全保留部分位于待形成栅极的区域，光刻胶完全去除部分位于光刻胶完全保留部分的两侧且位于有源层的上方，光刻胶半保留部分位于其他区域；采用刻蚀工艺对栅金属薄膜和栅绝缘薄膜进行刻蚀；去除光刻胶半保留部分，对光刻胶半保留部分对应的栅金属薄膜进行刻蚀，形成栅极，并去除所述光刻胶完全保留部分；形成层间绝缘层，源极和漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶 保留 薄膜晶体管 刻蚀 去除 制备 栅金属薄膜 栅绝缘薄膜 对栅 源层 绝缘层 半色调掩模板 金属薄膜 绝缘薄膜 刻蚀工艺 显示面板 阵列基板 制作过程 漏极 源极 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：/n在衬底上形成有源层；/n在形成所述有源层的衬底上，依次形成栅绝缘薄膜、栅金属薄膜和光刻胶；/n采用半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分位于待形成栅极的区域，所述光刻胶完全去除部分位于所述光刻胶完全保留部分的两侧且位于所述有源层的上方，所述光刻胶半保留部分位于其他区域；/n采用刻蚀工艺对与所述光刻胶完全去除部分对应的所述栅金属薄膜和所述栅绝缘薄膜进行刻蚀；其中，对所述栅绝缘薄膜进行刻蚀后，形成包括第一过孔的栅绝缘层；/n去除所述光刻胶半保留部分，对所述光刻胶半保留部分对应的所述栅金属薄膜进行刻蚀，形成所述栅极，并去除所述光刻胶完全保留部分；/n在形成所述栅极的衬底上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层包括与所述第一过孔重叠的第二过孔；/n在形成所述层间绝缘层的衬底上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极通过所述层间绝缘层上的所述第二过孔、所述栅绝缘层上的所述第一过孔与所述有源层接触。/n
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