[发明专利]一种半导体发光元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710638217.9 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN107394019B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 蓝永凌;蔡吉明;林兓兓;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体发光元件及其制备方法，本发明通过在最终势垒层与电子阻挡层之间低温生长高能级的第一盖层和第二盖层，第一盖层为相对低温生长的未掺杂层，用于降低P型杂质扩散至多量子阱结构层导致发光效率降低，第二盖层为电洞注入层，其掺杂有高浓度的P型杂质以提升电洞注入效应，同时，利用第一盖层和第二盖层较高的能级，有效降低了电子溢流，提升半导体元件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其至少包括衬底，及依次位于所述衬底上的N型层、多量子阱结构层、最终势垒层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，所述多量子阱结构层包括交替层叠的势垒层和势阱层，其特征在于：所述最终势垒层和电子阻挡层之间还包括第一盖层及位于第一盖层上的第二盖层，所述第一盖层为未掺杂层，所述第二盖层为高浓度的P型掺杂层，所述第一盖层与所述第二盖层的能级均高于势垒层及电子阻挡层的能级，所述第二盖层中P型掺杂浓度高于P型层中P型掺杂浓度，但低于P型接触层中的P型掺杂浓度。
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