[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710638706.4 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN108666285B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 久米一平;松田竹人;奥田真也;村野仁彦 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种具有能抑制缺陷产生的TSV的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有：半导体衬底，设有从第1面贯通到与所述第1面为相反侧的第2面的贯通孔；金属部，形成于所述贯通孔内部；及绝缘膜，设于所述半导体衬底与所述金属部之间，且具有1μm以下的厚度。而且，实施方式的半导体装置的制造方法包含如下步骤：形成贯通半导体衬底且开口的贯通孔；在所述半导体衬底的第1面上及所述贯通孔的内部，以150℃以下形成具有1μm以下的厚度的绝缘膜；及在所述贯通孔的内部形成金属部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：半导体衬底，设有从第1面贯通到与所述第1面为相反侧的第2面的贯通孔；金属部，形成于所述贯通孔内部；及绝缘膜，设于所述半导体衬底与所述金属部之间，且具有1μm以下的厚度。
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