[发明专利]一种分子束外延用衬底材料的清洗方法有效
| 申请号： | 201710638802.9 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN107481921B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王经纬;巩锋;周立庆 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 11010 工业和信息化部电子专利中心 | 代理人： | 于金平<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种分子束外延用衬底材料的清洗方法，包括以下步骤：将衬底材料在有机溶剂中进行表面去油脂处理；将表面去油脂处理后的衬底材料浸入到第一溴甲醇溶液中进行第一次腐蚀；将第一次腐蚀后的衬底材料放入盐酸溶液中进行清洗；将经盐酸溶液清洗后的衬底材料浸入到第二溴甲醇溶液中进行第二次腐蚀。本发明提供的分子束外延用衬底表面清洗方法能够较好的解决衬底材料表面过于粗糙及氧化层残留的问题，同时易于操作，可以将衬底材料以简单的方式尽快转移安装到分子束外延设备中；同时在衬底材料转移过程中可以避免衬底表面的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分子 外延 衬底 材料 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种分子束外延用衬底材料的清洗方法，其特征在于，所述方法用于分子束外延碲镉汞材料的衬底的清洗，包括以下步骤：/n将所述衬底材料在有机溶剂中进行表面去油脂处理；/n将表面去油脂处理后的衬底材料浸入到第一溴甲醇溶液中进行第一次腐蚀；/n将第一次腐蚀后的衬底材料放入盐酸溶液中进行清洗；/n将经盐酸溶液清洗后的衬底材料浸入到第二溴甲醇溶液中进行第二次腐蚀；/n所述第一溴甲醇溶液的体积浓度为0.4％～0.6％；/n所述第二溴甲醇溶液的体积浓度为0.05％～0.15％。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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