[发明专利]一种提高金银复合键合丝覆层与芯材结合力的方法有效
| 申请号： | 201710638892.1 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN107579010B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 周文艳;杨国祥;孔建稳;康菲菲;吴永瑾;裴洪营;陈家林;崔浩 | 申请（专利权）人： | 昆明贵金属研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B21C37/04 |
| 代理公司： | 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 | 代理人： | 赛晓刚 |
| 地址： | 650106 云南省昆明*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高金银复合键合丝覆层与芯材结合力的方法，属于微电子封装用键合丝材料技术领域。该方法的具体过程为：采用定向凝固技术制备银芯材铸锭，将厚度按需设计的薄壁金管嵌套于芯材铸锭外表面并保证二者有适宜的间隙，嵌套铸锭以大变形量进行第一道次拉拔，然后以较小道次变形量继续拉拔得到金银复合键合丝。该方法有利于提高金覆层与银芯材的结合力，覆层不易发生脱落，覆层厚度便于调控，得到的金银复合键合丝金层厚度均匀，性能一致性高，且效率高、有利环保、易于产业化实施。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 金银 复合 键合丝 覆层 结合 方法 | ||
【主权项】：
一种提高金银复合键合丝覆层与芯材结合力的方法，包括以下步骤：(1)采用定向凝固技术制备银芯材铸锭；(2)加工厚度按需设计的薄壁金管并将其嵌套于芯材铸锭外表面；(3)嵌套铸锭第一道次拉拔选用大变形量拉拔；(4)以较小道次变形量继续拉拔直至得到金银复合键合丝产品；(5)复合键合丝退火后按客户所需的长度进行复绕和分装。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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