[发明专利]一种适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法

摘要

一种适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法，属于太阳能电池制备领域，其具体步骤是：太阳电池的缓冲层采用不容易被硫化或硒化的氧化物材料，制备薄膜太阳电池吸收层之后，对透明导电层进行进一步的处理，采用方法(a)或方法(b)：(a)在透明导电层上镀一层防止硫化和/或硒化的金属薄膜；(b)在透明导电层上用喷雾热解法制备氧化锌膜或用真空法蒸镀可以被硫化和硒化的金属薄膜，硫化或硒化后用无机酸洗掉相应部分，使透明导电层暴露出来。本发明方法巧妙，工艺简单，硫化或硒化，透明导电层方块电阻几乎保持不变，具有与现行薄膜太阳电池制备工艺兼容性好、成本低、安全环保的优点，因而具有非常好的应用价值。

主权项

1.一种适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法，所述superstrate结构的太阳电池制备时，依次在玻璃基底上制备导电层、缓冲层和吸收层，在硫化或硒化后，在吸收层上制备背电极，其特征是：（1）制备superstrate结构的太阳电池时，太阳电池的缓冲层采用氧化物材料，所述氧化物材料为TiO₂、ZnO、Zn_1‑xMg_xO、Zn₂SnO₄中的一种，其中Zn_1‑xMg_xO 中x≤0.4；（2）制备薄膜太阳电池吸收层之后，对导电层进行进一步的处理，所述导电层为透明导电氧化物层；所述吸收层为铜锌锡硫吸收层、铜锡硫吸收层或铜锑硫吸收层，且采用喷雾热解法或溶胶凝胶法制备；在透明导电氧化物层上用喷雾热解法制备氧化锌膜或用真空法蒸镀可以被硫化和硒化的金属薄膜，硫化或硒化后用无机酸洗掉相应部分，使透明导电氧化物层暴露出来；（3）之后对相应的器件进行硫化或硒化。