[发明专利]浪涌防护装置及方法以及一种移动终端有效
| 申请号： | 201710642439.8 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN107317319B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 赵青晖 | 申请（专利权）人： | 北京小米移动软件有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H02H3/20 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 曹寒梅;魏嘉熹 |
| 地址： | 100085 北京市海淀区清河*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开是关于一种浪涌防护装置及方法以及一种移动终端，涉及电子领域，该装置包括瞬态抑制二极管和过压保护芯片，其中，所述瞬态抑制二极管的一端连接于所述过压保护芯片与需进行浪涌防护的接口的公共端上，所述瞬态抑制二极管的另一端接地，所述过压保护芯片的另一端与需进行浪涌防护的芯片连接。通过利用瞬态抑制二极管和过压保护芯片对可能发生的浪涌进行双重保护，降低了对瞬态抑制二极管的高防护能力的要求，降低了瞬态抑制二极管的制作难度和成本，从而减小了瞬态抑制二极管的体积，减轻了需进行浪涌防护的芯片的电路板的空间负担，且提高了浪涌防护的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 浪涌 防护 装置 方法 以及 一种 移动 终端 | ||
【主权项】：
1.一种浪涌防护装置，其特征在于，包括瞬态抑制二极管和过压保护芯片，其中，所述瞬态抑制二极管的一端连接于所述过压保护芯片与需进行浪涌防护的接口的公共端上，所述瞬态抑制二极管的另一端接地，所述过压保护芯片的另一端与需进行浪涌防护的芯片连接；其中，所述过压保护芯片的关断电压不大于所述需进行浪涌防护的芯片的耐压值和所述过压保护芯片的降压值之和；其中，在浪涌电压经过所述瞬态抑制二极管的降压处理之后仍然高于或等于所述过压保护芯片的关断电压的情况下，所述过压保护芯片立即切断所述需进行浪涌防护的接口与所述需进行浪涌防护的芯片之间的通路，以及在所述浪涌电压经过所述瞬态抑制二极管的降压处理之后低于所述过压保护芯片的关断电压的情况下，所述过压保护芯片执行降压处理。
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