[发明专利]一种GaN基LED电极结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710644313.4 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN109326700B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 徐晓强;刘琦;闫宝华;彭璐;肖成峰 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/40;H01L33/32 |
| 代理公司： | 37224 济南日新专利代理事务所 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种GaN基LED电极结构及其制作方法，是在ITO电流扩展层上设置有P电极，n型GaN层的台面上设置有N电极；P电极和N电极的结构是自下至上依次包括第一Cr层、第一Al层、Ti层、Au层、第二Cr层和第二Al层；其制作方法包括以下步骤：（1）制作ITO薄膜层，刻蚀n型GaN层台面；（2）制作光刻电极图形，以形成包覆式电极结构；（3）制作电极结构。本发明通过对适宜光刻胶图形倒角的控制，来实现包覆式电极结构，通过合理的电极结构设计在保证电极良好粘附性的同时，使管芯发光效率得到大幅度提升，并且整个电极结构设计简单，全部使用常规蒸镀材料，整个制作过程时间较短，耗用成本较低，适用于所有GaN基LED管芯的规模化制作。 | ||
| 搜索关键词： | 电极结构 制作 包覆式 管芯 光刻电极图形 光刻胶图形 发光效率 蒸镀材料 制作过程 规模化 粘附性 电极 台面 倒角 刻蚀 保证 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基LED电极结构，自下至上依次包括衬底、n型GaN层、量子阱层和p型GaN层，p型GaN层上设置有ITO电流扩展层，n型GaN层上设置有台面，ITO电流扩展层上设置有P电极，n型GaN层的台面上设置有N电极；其特征是：P电极和N电极的结构是自下至上依次包括第一Cr层、第一Al层、Ti层、Au层、第二Cr层和第二Al层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司，未经山东浪潮华光光电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710644313.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
