[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710644974.7 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107507805B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 栃林克明;日向野聪;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶培勇;付曼 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可靠性高的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。本发明的目的之一是高成品率地制造可靠性高的半导体装置以实现高生产化。在具有依次层叠有栅电极层、栅极绝缘膜、氧化物半导体膜并且设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置的制造中，通过蚀刻工序在形成源电极层及漏电极层，然后进行去除存在于氧化物半导体膜表面及其附近的因蚀刻工序而产生的杂质的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：隔着栅极绝缘膜在栅电极层上形成岛状氧化物半导体膜；在所述岛状氧化物半导体膜上形成导电膜；通过使用含有卤素元素的蚀刻气体的等离子体处理对所述导电膜进行加工来形成源电极层和漏电极层；以及对所述岛状氧化物半导体膜进行杂质去除处理以去除包含于所述蚀刻气体中的所述卤素元素，其中，所述杂质去除处理是溶液处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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