[发明专利]三维存储器及其操作方法

摘要

本发明提供一种三维存储器及其操作方法，包括：衬底、多条源极线、多个隔离结构、多条漏极线、多个位线、多个电荷存储结构以及多个导体层。源极线位于衬底上。隔离结构分别位于源极线之间，以电性隔离源极线。漏极线位于源极线上。漏极线与源极线的延伸方向不同。位线自源极线延伸至漏极线。电荷存储结构分别围绕位线。导体层分别覆盖沿各源极线排列的电荷存储结构的表面。

主权项

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：多条源极线，位于衬底上；多个隔离结构，分别位于所述源极线之间，以电性隔离所述源极线；多条漏极线，位于所述源极线上，其中所述漏极线与所述源极线的延伸方向不同；多个位线，自所述源极线延伸至所述漏极线；多个电荷存储结构，分别围绕所述位线；以及多个导体层，分别覆盖沿各所述源极线排列的所述电荷存储结构的表面。