[发明专利]成膜装置、成膜方法以及存储介质

摘要

本发明涉及成膜装置、成膜方法以及存储介质，在对半导体晶圆例如交替地供给原料气体和反应气体并将反应生成物依次层叠来进行成膜处理时提高生产率的技术。在处理容器(5)内的旋转台(1)上沿周向等间隔地配置能够进行自转的载置台(2)。利用沿周向等间隔地设置的分离部(4)将旋转台的上方区域划分为四个处理区域(S1)～(S4)，向隔一个区域配置的处理区域(S1)、(S3)供给原料气体。另外，向处理区域(S2)、(S4)供给反应气体并且产生等离子体。将晶圆(W)载置于各载置台，使旋转台间歇性地进行旋转以使晶圆在各处理区域中依次停止，并且在晶圆位于各处理区域时使载置台进行自转来对各晶圆同时进行所谓的ALD处理。

主权项

一种成膜装置，在形成真空环境的处理容器内进行多次向基板交替地供给作为处理气体的第一气体和第二气体的循环，从而在基板上形成薄膜，该成膜装置的特征在于，具备：n个第一处理区域，所述n个第一处理区域沿着所述处理容器的周向隔开间隔地设置，各所述第一处理区域用于供给第一气体来对基板进行处理，其中，n为2以上的整数；n个第二处理区域，各所述第二处理区域沿着所述周向设置在第一处理区域之间，用于供给第二气体来对基板进行处理；分离部，其用于将所述第一处理区域与第二处理区域之间分离；载置部，其构成为能够沿所述周向进行公转，并且沿所述周向配置多个所述载置部，各载置部用于载置基板；以及控制部，其使所述载置部间歇性地进行公转，使得在停止公转的状态下，所述基板交替地位于所述第一处理区域和所述第二处理区域，其中，所述载置部被配制成，在所述载置部的公转停止时，位于n个第一处理区域和n个第二处理区域的各处理区域中的基板的片数相同。