[发明专利]FINFET及其形成方法有效
| 申请号： | 201710647541.7 | 申请日： | 2017-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN107680940B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了FinFET器件及其形成方法。该方法包括在衬底上方形成图案化的掩模堆叠件，保护衬底的图案化的掩模堆叠件的部件具有均匀的宽度。去除由图案化的掩模堆叠件暴露的衬底的未保护部分以在衬底中形成多个凹槽，插入在邻近的凹槽之间的衬底的未去除部分形成多个鳍。去除多个鳍的部分，多个鳍的第一鳍的宽度小于多个鳍的第二鳍的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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