[发明专利]一种沟槽型器件的制备方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种沟槽型器件的制备方法，在元胞区的沟槽侧壁及底部生长介质层，在形成体区结构及源极后，制备一介质层填充沟槽；刻蚀位于元胞区的介质层至体区结构的上表面，使得位于元胞区的体区结构的上表面暴露；刻蚀位于保护区的介质层形成连接导电层的接触孔，以及注入工艺对位于元胞区的暴露出的体区结构的上表面进行处理形成欧姆接触结构；采用一第一金属层填充接触孔，以及采用一第二金属层连接覆盖源极以及欧姆接触结构的上表面，分别形成栅极金属和源极金属；上述的技术方案所制备的沟槽型器件的元胞沟槽的线宽能够达到低于1μm，从而增加了元胞沟槽的密度，降低了沟槽型器件的源漏极导通电阻。

主权项

一种沟槽型器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供包括一元胞区和一保护区的一基底，并于所述基底的上表面依次沉积一第一介质层和一第二介质层；步骤S2，刻蚀所述第二介质层的上表面至所述基底中，以在所述元胞区形成多个第一沟槽，以及在所述保护区形成至少一个第二沟槽；步骤S3，于所述第一沟槽和所述第二沟槽的侧壁及底部覆盖一第三介质层；步骤S4，于覆盖所述第三介质层的所述第一沟槽中制备第一导电层，以及于覆盖所述第三介质层的所述第二沟槽中制备第二导电层，且所述第一导电层和所述第二导电层的上表面分别低于所述基底的上表面；步骤S5，采用第一注入工艺对所述基底的上表面进行处理，以在所述基底的上表面形成间隔的多个体区结构；步骤S6，采用第二注入工艺对所述元胞区的每个所述体区结构进行处理，以在所述元胞区的每个所述体区结构的两侧分别形成两个源极；步骤S7，去除所述第二介质层，并制备一第四介质层填充所述第一沟槽和所述第二沟槽并以及覆盖所述第一介质层的上表面；步骤S8，刻蚀位于所述元胞区的所述第四介质层至所述体区结构的上表面，使得位于所述元胞区的所述体区结构的上表面暴露；步骤S9，刻蚀位于所述保护区的所述第四介质层形成连接所述第二导电层的接触孔，以及采用第三注入工艺对位于所述元胞区的暴露出的所述体区结构的上表面进行处理形成欧姆接触结构；步骤S10，采用一第一金属层填充所述接触孔，以及采用一第二金属层连接覆盖所述源极以及所述欧姆接触结构的上表面。