[发明专利]一种P型双面晶硅电池的制作方法有效
申请号: | 201710649732.7 | 申请日: | 2017-08-02 |
公开(公告)号: | CN107359112B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 张东;张大雨;马立元;杨雄磊 | 申请(专利权)人: | 巨力新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/225 | 分类号: | H01L21/225;H01L31/18 |
代理公司: | 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 | 代理人: | 张海青 |
地址: | 072550*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开一种P型双面晶硅电池的制作方法,先将硅片利用传统的制绒工艺进行双面制绒,再采用以固态杂质源为主要成分的浆料印刷工艺和链式水平扩散工艺,然后再进行双面镀膜、双面印刷正银电极和烧结。采用本发明的方法制备双面电池工艺较常规双面电池工艺流程简单,尤其是双面印刷工艺和链式扩散工艺,保证了边缘不同扩散源的不相互掺杂,同时减少了成品电池漏电率;链式扩散工艺较传统的管式扩散工艺扩散时间大大缩短,提高了生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 电池 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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