[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 201710650750.7 | 申请日: | 2017-08-02 |
公开(公告)号: | CN108447519B | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 稻垣真野;小柳胜 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30;G11C16/08 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的实施方式提供一种能够使电源通电时流动的贯通电流减少的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备包含电源保护电路的芯片,该电源保护电路包含第1至第3焊盘、电阻、电容器、反相器、及第1及第2晶体管。第2及第3焊盘分别被供给第1及第2电压。电阻是将第1端连接于第2焊盘。电容器是将第1端连接于电阻的第2端。第1晶体管是将第1端连接于第2焊盘,将第2端连接于具有基于电容器的第1端的电压的值的信号的节点,将栅极连接于第1焊盘。反相器是将输入端连接于第1晶体管的第2端。第2晶体管连接于第2焊盘与第3焊盘之间,且将栅极连接于反相器的输出端。 | ||
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【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其特征在于:具备包含电源保护电路的第1芯片,所述电源保护电路包含:第1焊盘;第2焊盘,被供给第1电压;第3焊盘,被供给低于所述第1电压的第2电压;电阻,包含与所述第2焊盘电连接的第1端;第1电容器,包含与所述电阻的第2端电连接的第1端;第1晶体管,包含与所述第2焊盘电连接的第1端、与具有基于所述第1电容器的第1端的电压的值的信号的节点电连接的第2端、及与所述第1焊盘电连接的栅极;第1反相器,包含与所述第1晶体管的第2端电连接的输入端;及第2晶体管,电连接于所述第2焊盘与所述第3焊盘之间,且包含与所述第1反相器的输出端电连接的栅极。
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