[发明专利]SRAM存储器及其形成方法

摘要

一种SRAM存储器及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上有相邻的第一鳍部和第二鳍部、及覆盖第一鳍部部分侧壁的隔离层，隔离层暴露出的第一鳍部包括第一置换区；形成下拉晶体管的方法包括：形成横跨第一鳍部的下拉栅极结构，第一置换区位于下拉栅极结构两侧；在第一置换区的侧壁形成位于隔离层表面的鳍侧墙膜；在隔离层上形成覆盖鳍侧墙膜的侧壁且暴露出第一置换区顶部表面的第一下拉介质层；之后去除第一鳍部的第一置换区、以及第一置换区侧壁的鳍侧墙膜，形成第一槽；在第一槽中形成第一源漏掺杂层；形成邻置晶体管的方法包括：在第二鳍部中形成与第一源漏掺杂层相邻的第二源漏掺杂层。所述方法提高了SRAM存储器性能。

主权项

1.一种SRAM存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有相邻的第一鳍部和第二鳍部、以及覆盖第一鳍部部分侧壁的隔离层，隔离层暴露出的第一鳍部包括第一置换区；形成下拉晶体管，形成下拉晶体管的方法包括：形成横跨第一鳍部的下拉栅极结构，下拉栅极结构覆盖第一鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面，第一置换区分别位于下拉栅极结构两侧；在第一鳍部第一置换区的侧壁形成位于隔离层表面的鳍侧墙膜；在隔离层上形成第一下拉介质层，第一下拉介质层覆盖鳍侧墙膜的侧壁且暴露出第一鳍部第一置换区的顶部表面；形成第一下拉介质层后，去除第一鳍部的第一置换区、以及第一置换区侧壁的鳍侧墙膜，形成第一槽；在第一槽中形成第一源漏掺杂层；形成邻置晶体管，形成邻置晶体管的方法包括：在第二鳍部中形成第二源漏掺杂层，第二源漏掺杂层与第一源漏掺杂层相邻。