[发明专利]纳米金属氧化物薄膜的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201710651515.1 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109384265B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C01G55/00 | 分类号： | C01G55/00;C01G47/00;C01G41/02;C01G39/02;C01G37/02;C01G31/02;C01G3/02;C01G1/02;H01L51/50;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米金属氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供金属粉末，将所述金属粉末加入到反应介质中，形成分散液；在所述分散液中加入氧化剂，反应制备前驱体溶液，其中，所述氧化剂的标准电极电势＞+1.23V；将所述前驱体溶液沉积在基片上，退火处理得到纳米金属氧化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 金属 氧化物 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种纳米金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供金属粉末，将所述金属粉末加入到反应介质中，形成分散液；在所述分散液中加入氧化剂，反应制备前驱体溶液，其中，所述氧化剂的标准电极电势＞+1.23V；将所述前驱体溶液沉积在基片上，退火处理得到纳米金属氧化物薄膜。
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