[发明专利]正性光刻胶组合物、过孔的形成方法、显示基板及显示装置有效
| 申请号： | 201710651692.X | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN107422605B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 李伟;苏同上;李广耀;胡迎宾;马睿;邵继峰;张扬;张建业 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/039 | 分类号： | G03F7/039;G03F7/004;G02F1/1362;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种正性光刻胶组合物、过孔的形成方法、显示基板及显示装置，涉及显示技术领域，该正性光刻胶组合物中包括有光致异构化合物，受到紫外光照射后结构转变为分子极性程度增加的离子结构，降低了该正性光刻胶与有机膜层间的附着力，有利于过孔形成后的剥离，提高产品的生产良率。该正性光刻胶组合物包括，主体胶材、光敏剂；光致异构化合物；所述光致异构化合物受到紫外光照射后结构转变为分子极性程度增加的离子结构。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 组合 形成 方法 显示 显示装置 | ||
【主权项】：
一种正性光刻胶组合物，所述正性光刻胶组合物包括，主体胶材、光敏剂；其特征在于，所述光刻胶组合物还包括，光致异构化合物；所述光致异构化合物受到紫外光照射后结构转变为分子极性程度增加的离子结构。
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