[发明专利]质谱仪在审
| 申请号： | 201710651817.9 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109390201A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 孙延锋;姜杰;顾大伟 | 申请（专利权）人： | 天源华威集团有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/02 | 分类号： | H01J49/02 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 212000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种质谱仪，包括MCU、D/A变换器、功率放大器、功率MOSFET、功率MOSFET驱动器、变压器、离子状态控制装置、离子选择装置、离子阱，相互间电连。本发明质谱仪为数字离子阱，运行可靠，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 质谱仪 离子阱 功率MOSFET驱动器 离子状态控制装置 离子选择装置 功率MOSFET 功率放大器 使用寿命 电连 变压器 | ||
【主权项】：
1.一种质谱仪，包括控制器、D/A变换器、功率放大器、功率MOSFET、功率MOSFET驱动器、变压器、离子状态控制装置、离子选择装置、离子阱，其特征在于：所述控制器与D/A变换器相连接，D/A变换器和功率放大器连接，功率放大器接变压器初级的A引脚，功率MOSFET的一端连接到变压器的初级的B引脚，功率MOSFET另一端连接到直流电源地，功率MOSFET的控制端连接到控制器，离子状态控制装置与控制器相连接，离子状态控制装置与离子选择装置相连接，离子选择装置与离子阱相连接，离子状态控制装置与离子阱相连接。
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