[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201710652927.7 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN108573726B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 服部规男;矢野胜 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置，抑制由区块单位的擦除或字单位的编程引起的耐久特性的下降。本发明的电阻变化型存储器(100)包括：存储阵列(110)，通过可逆性且非易失性的可变电阻元件来存储数据；以及控制器(120)，在响应来自外部的擦除指令，擦除存储阵列(110)的选择的区块时，不变更区块的数据，而是设定表示区块为擦除状态的EF标志。控制器(120)还包括读取单元，此读取单元在响应来自外部的读取指令，读取存储阵列(110)的选择的字时，基于EF标志，输出选择的字的数据或表示擦除的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：存储阵列，通过可逆性且非易失性的可变电阻元件来存储数据；擦除单元，在响应来自外部的擦除指令，擦除所述存储阵列的选择的区块时，不变更所述区块的数据，而是设定表示所述区块为擦除状态的第一标志数据；以及读取单元，在响应来自外部的读取指令，读取所述存储阵列的选择的字时，基于所述第一标志数据，输出所述选择的字的数据或表示所述擦除的数据。
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