[发明专利]一种射流辅助激光等离子体的晶圆切割装置及方法有效
申请号: | 201710652982.6 | 申请日: | 2017-08-02 |
公开(公告)号: | CN107433397B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 刘胜;王春喜;占必红;程佳瑞;苏丹 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B23K26/38;B23K26/70;B23K101/40 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 魏波 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种射流辅助激光等离子体的晶圆切割装置及方法,装置包括飞秒激光器、射流辅助系统、CCD影像系统、聚焦透镜组、分光透镜、旋转装置、光闸、三倍频装置、加工平台及控制系统;控制系统通过控制飞秒激光器产生激光,激光经分光透镜后分成两束,分别通过光闸或依次通过光闸、三倍频装置后射入聚焦透镜组;晶圆片固定安装在加工平台上,CCD影像系统用于获取晶圆片(13)的位置、状态信息并反馈回控制系统,控制系统通过控制加工平台的运动将晶圆片移动到预定位置;控制系统通过控制旋转装置,调整射流辅助系统喷射的射流方向到聚焦透镜组的激光聚焦点,使射流辅助系统喷射的射流和聚焦透镜组的激光入射到晶圆片加工的初始位置。 | ||
搜索关键词: | 射流 控制系统 聚焦透镜组 晶圆片 辅助系统 加工平台 光闸 等离子体 飞秒激光器 三倍频装置 激光 分光透镜 辅助激光 晶圆切割 喷射 控制旋转装置 激光聚焦 旋转装置 预定位置 入射 射入 反馈 移动 加工 | ||
【主权项】:
1.一种射流辅助激光等离子体的晶圆切割装置,其特征在于:包括飞秒激光器(1)、射流辅助系统(2)、CCD影像系统(3)、聚焦透镜组(4)、分光透镜(5)、旋转装置(6)、光闸(7)、三倍频装置(8)、加工平台及控制系统;所述控制系统通过控制所述飞秒激光器(1)产生激光,激光经所述分光透镜(5)后分成两束,一束通过所述光闸(7)后射入所述聚焦透镜组(4),另一束依次通过所述光闸(7)、三倍频装置(8)后射入所述聚焦透镜组(4);晶圆片(13)固定安装在所述加工平台上,所述CCD影像系统(3)用于获取所述晶圆片(13)的位置、状态信息并反馈回所述控制系统,所述控制系统通过控制加工平台的运动将所述晶圆片(13)移动到预定位置;所述控制系统通过控制所述旋转装置(6),调整所述射流辅助系统(2)喷射的射流方向到聚焦透镜组(4)的激光聚焦点,使射流辅助系统(2)喷射的射流和聚焦透镜组(4)的激光入射到晶圆片加工的初始位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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