[发明专利]非易失性存储器件有效
| 申请号： | 201710654882.7 | 申请日： | 2017-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN107689419B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 吴哲;朴正熙;安东浩;李镇宇;申喜珠;李兹傧 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件能够通过使用包括多层结构的双向阈值开关(OTS)选择元件而提高存储器件的可靠性。非易失性存储器件包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；选择元件层，在第一电极和第二电极之间，其与到第一电极相比，更靠近第二电极设置，并且其包括第一硫族化物层和第二硫族化物层。第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，第二硫族化物层包括第二硫族化物材料。在第一电极和选择元件层之间的存储层包括不同于第一硫族化物材料和第二硫族化物材料的第三硫族化物材料。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；选择元件层，在所述第一电极和所述第二电极之间，其与到所述第一电极相比，更靠近所述第二电极设置，并且其包括第一硫族化物层和第二硫族化物层，所述第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，所述第二硫族化物层包括第二硫族化物材料；以及在所述第一电极和所述选择元件层之间的存储层，其包括不同于所述第一硫族化物材料和所述第二硫族化物材料的第三硫族化物材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710654882.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
