[发明专利]QLED器件在审
| 申请号： | 201710656386.5 | 申请日： | 2017-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109390441A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇;陈崧 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/26;H01L33/28;B82Y30/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种QLED器件，包括依次层叠在衬底的底电极、双极性俄歇能量倍增结构和顶电极，所述双极性俄歇能量倍增结构为依次结合的空穴传输层、量子点发光层和电子传输层，其中，所述电子传输层由n型纳米材料制成，所述空穴传输层由p型纳米材料制成。 | ||
| 搜索关键词： | 电子传输层 空穴传输层 倍增结构 纳米材料 双极性 依次层叠 底电极 顶电极 发光层 量子点 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件，其特征在于，包括依次层叠在衬底的底电极、双极性俄歇能量倍增结构和顶电极，所述双极性俄歇能量倍增结构为依次结合的空穴传输层、量子点发光层和电子传输层，其中，所述电子传输层由n型纳米材料制成，所述空穴传输层由p型纳米材料制成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL集团股份有限公司，未经TCL集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710656386.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
