[发明专利]具有抑制电位变化的开关元件的半导体装置有效

专利信息
申请号: 201710656977.2 申请日: 2017-08-03
公开(公告)号: CN107689368B 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 山平优;松冈哲矢 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/48
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 韩俊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体装置设置有彼此并联连接的多个开关元件和并联连接到多个上述开关元件的多个回流元件。用作多个上述开关元件的基准电位的发射电极和用作多个上述回流元件的基准电位的阳极电极通过由导电材料制成的同一板状构件电连接。上述开关元件和与在最低电位一侧并联连接的上述回流元件构成为使得从连接至上述发射电极的发射极端子到上述回流元件的距离变成不大于从上述发射极端子到上述开关元件的距离。
搜索关键词: 具有 抑制 电位 变化 开关 元件 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:多个开关元件,多个所述开关元件彼此并联连接;以及多个回流元件,多个所述回流元件并联连接到多个所述开关元件,其特征在于,多个所述开关元件和多个所述回流元件中的至少每两个构成一个被树脂密封的半导体模块,用作多个所述开关元件的基准电位的发射电极和用作多个所述回流元件的基准电位的阳极电极通过由导电材料制成的同一板状构件电连接,在被树脂密封的所述半导体模块中的位于最低电位一侧的、并联连接的所述开关元件和所述回流元件构成为使得从连接至所述发射电极的所述发射极端子到所述回流元件的距离变成不大于从所述发射极端子到所述开关元件的距离。
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