[发明专利]TFT液晶基板金属边框局部镀膜工艺在审
申请号: | 201710657166.4 | 申请日: | 2017-08-03 |
公开(公告)号: | CN107227439A | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 李章辉;潘明明 | 申请(专利权)人: | 重庆永信科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司34107 | 代理人: | 朱圣荣 |
地址: | 402160 重庆市星光大道9*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明揭示了一种TFT液晶基板金属边框局部镀膜工艺1)在TFT基板的镀膜面镀制ITO膜;2)将遮挡板覆盖在TFT基板的镀膜面,所述遮挡板上预留有镂空的镀膜间隙,所述镀膜间隙位置与TFT基板上镀至金属边框位置相同;3)在遮挡板上镀至金属膜,金属膜透过镀膜间隙沉积在ITO膜上的金属层构成金属边框;4)取下遮挡板。本发明通过改进工艺在基板边缘镀制金属边框,与现有单纯的ITO导电膜相比,产品在保证原有的高透过率及低反射率的情况下,屏幕触控反应速度及触控稳定性明显提升,并且产品设计方案已投入到实际生产中并量产,根据客户段反馈的结果,该产品性能优良。 | ||
搜索关键词: | tft 液晶 金属 边框 局部 镀膜 工艺 | ||
【主权项】:
TFT液晶基板金属边框局部镀膜工艺,其特征在于:1)在TFT基板的镀膜面镀制ITO膜;2)将遮挡板覆盖在TFT基板的镀膜面,所述遮挡板上预留有镂空的镀膜间隙,所述镀膜间隙位置与TFT基板上镀至金属边框位置相同;3)在遮挡板上镀至金属膜,金属膜透过镀膜间隙沉积在ITO膜上的金属层构成金属边框;4)取下遮挡板。
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