[发明专利]量子阱结构量子点及其制备方法有效
| 申请号： | 201710657485.5 | 申请日： | 2017-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109390436B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 程陆玲;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/28 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种量子阱结构量子点的制备方法，包括以下步骤：提供一种量子点，对所述量子点进行氧化刻蚀，制备得到量子点核；在所述量子点核表面生长一层阱层，得到核‑阱结构粒子；在所述核‑阱结构的粒子表面生长一层外壳层，制备得到所述量子阱结构量子点。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种量子阱结构量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一种初始量子点，对所述初始量子点进行氧化刻蚀，制备得到量子点核；在所述量子点核表面生长阱层，得到核‑阱结构粒子；在所述核‑阱结构粒子表面生长外壳层，制备得到所述量子阱结构量子点。
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