[发明专利]正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法和光掩模坯

摘要

本发明为正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法和光掩模坯。包括适于在酸的作用下分解以增加其在碱性显影剂中的溶解度的聚合物和特定结构的锍化合物的正型抗蚀剂组合物具有高分辨率。当通过光刻法加工抗蚀剂组合物时，可以形成具有最小LER的图案。

主权项

正型抗蚀剂组合物，其包括(A)具有式(A)的锍化合物，和(B)含有包括具有式(B1)的重复单元的聚合物的基础聚合物，所述聚合物适于在酸的作用下分解，以增加其在碱性显影剂中的溶解度，其中，R1、R2和R3各自独立地为可以包含杂原子的C1‑C20直链、支链或环状的一价烃基，p和q各自独立地为0至5的整数，r为0至4的整数，在p＝2至5的情况下，两个相邻的R1基团可以与它们所连接的碳原子键合在一起以形成环，在q＝2至5的情况下，两个相邻的R2可以与它们所连接的碳原子键合在一起以形成环，在r＝2至4的情况下，两个相邻的R3可以与它们所连接的碳原子键合在一起以形成环，其中，RA为氢、氟、甲基或三氟甲基，R11各自独立地为卤素，任选被卤化的C2‑C8直链、支链或环状的酰氧基，任选被卤化的C1‑C6直链、支链或环状的烷基或任选被卤化的C1‑C6直链、支链或环状的烷氧基，A1为单键或C1‑C10直链、支链或环状的亚烷基，其中醚键可以插入碳‑碳键中，v为0或1，w为0至2的整数，a为满足0≤a≤5+2w‑b的整数，和b为1至3的整数。