[发明专利]用于校正存储器中的数据错误的系统及方法在审
申请号: | 201710661595.9 | 申请日: | 2017-08-04 |
公开(公告)号: | CN107689246A | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 池育德;王清煌;史毅骏;施孟君;王家佑 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42;G11C29/44;G11C29/56 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例提供用于校正存储器中的数据错误的系统及方法。形成包含存储器的集成电路IC裸片。确定当经受高温时易受数据遗失的存储器位置的地址。将数据位写入到所述存储器,其中所述数据位包含写入到所述存储器位置的一组位。将所述组位写入到当经受所述高温时不易受数据遗失的所述IC裸片的存储装置。在使所述IC裸片经受高温之后,重写存储于所述地址处的所述位中的至少一者。基于写入到所述存储装置的所述组位而重写所述位中的所述至少一者。 | ||
搜索关键词: | 用于 校正 存储器 中的 数据 错误 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种形成装置的方法,所述方法包括:形成包含存储器的集成电路IC;确定当经受高温时易受数据遗失的存储器位置的地址;将数据位写入到所述存储器,所述数据位包含写入到所述存储器位置的一组位;将所述组位写入到当经受所述高温时不易受数据遗失的所述IC裸片的存储装置;在使所述IC裸片经受高温之后重写存储于所述地址处的所述位中的至少一者,基于写入到所述存储装置的所述组位重写所述位中的所述至少一者。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710661595.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种NAND闪存装置的编程方法
- 下一篇:一种微动平台