[发明专利]Ku波段自偏置低噪声放大器在审
| 申请号： | 201710665296.2 | 申请日： | 2017-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN107493079A | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 王志刚;吕彬彬 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/189;H03F3/20;H04B1/16;H04B7/08 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)51227 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ku波段自偏置低噪声放大器，包括基于同样的自偏置结构，并且依次相连的三级放大电路第一级放大电路包括第一电容C1、第一微带线TL1、第一晶体管M1、第一级自偏置电路和第二微带线TL2；第二级放大电路包括第二电阻R2、第二晶体管M2、第四微带线TL4和第二级自偏置电路；第三级放大电路包括第四电阻R4、第三晶体管M3、第三级自偏置电路和第一电感L1。本发明提供了一种带有自偏置电路的低噪声放大器，不需要另外为电路设计偏置电路，一方面降低了设计复杂度，另一方面回避了偏置电路设计时带来的其他问题。本发明的电路结构简单，能够在实现宽频带的条件下，同时满足良好的噪声要求。 | ||
| 搜索关键词： | ku 波段 偏置 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
Ku波段自偏置低噪声放大器，其特征在于，包括基于同样的自偏置结构，并且依次相连的三级放大电路：所述第一级放大电路包括第一电容C1、第一微带线TL1、第一晶体管M1、第一级自偏置电路和第二微带线TL2；电容C1的一端连接输入端口，电容C1的另一端分别与第一微带线TL1和第一晶体管M1的栅极相连；第一晶体管M1的源极通过第一级自偏置电路接地，第一晶体管M1的漏极通过第二微带线TL2连接到电源，第一晶体管M1的漏极还通过第一二级的匹配电路连接第二级放大电路；第二级放大电路包括第二电阻R2、第二晶体管M2、第四微带线TL4和第二级自偏置电路；第二晶体管M2的栅极分别与第一二级匹配电路和第二电阻R2相连，第二晶体管M2的源极通过第二级自偏置电路接地，第二晶体管M2的漏极通过第四微带线TL4连接到电源，第二晶体管M2的漏极还通过第二三级匹配电路连接第三级放大电路；第三级放大电路包括第四电阻R4、第三晶体管M3、第三级自偏置电路和第一电感L1；第三晶体管M3的栅极分别与第二三级匹配电路和第四电阻R4相连，第三晶体管M3的源极通过第三级自偏置电路接地，第三晶体管M3的漏极通过第一电感L1连接到电源，第三晶体管M3的漏极通过第六电容C6连接输出端。
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