[发明专利]太阳能硅片的切割方法及三维结构太阳能硅片有效
申请号: | 201710665447.4 | 申请日: | 2017-08-07 |
公开(公告)号: | CN107263750B | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 万明 | 申请(专利权)人: | 苏州赛万玉山智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236 |
代理公司: | 32297 南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 陆明耀 |
地址: | 215311 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明揭示了太阳能硅片的切割方法及三维结构太阳能硅片,太阳能硅片的切割方法,包括如下步骤:S1,驱动工件进行Z轴方向进给,使工件与切割线接触;S2,驱动工件同时进行Z轴方向进给和Y轴方往复向进给,切割出具有波浪形切割面的太阳能硅片。本发明设计精巧,在驱动工件向切割线方向进行轴向进给的同时,驱动工件沿水平方向往复运动,从而使切割线能够在工件表面切割形成波浪形状的三维结构,并且通过对切割线运行速度和两个方向进给参数的设置,提供了一种能够实现三维结构硅片切割的新方法,工序简单,容易实现。 | ||
搜索关键词: | 太阳能硅片 切割 进给 三维结构 切割线 驱动 切割线方向 波浪形状 工件表面 硅片切割 轴向进给 波浪形 | ||
【主权项】:
1.太阳能硅片的切割方法,其特征在于:包括如下步骤:/nS1,驱动工件进行Z轴方向进给,使工件与切割线接触;/nS2,驱动工件同时进行Z轴方向进给和Y轴方向往复进给,切割出具有波浪形切割面的太阳能硅片;形成的波浪形切割面为非对称波形,从波谷到相邻波峰之间的Z轴方向进给行程以及从波峰到相邻波谷之间的Z轴方向进给行程中较大的一个与波深的比值不小于1:1;/n其中,一个往复运动过程中至少包括依次进行的从0速度开始的加速阶段、减速至0速度的减速阶段、从0速度开始的反向加速阶段以及减速至0速度的反向减速阶段,在加速阶段与减速阶段之间和/或反向加速阶段与反向减速阶段之间还包括匀速进给阶段;/n且切割过程中采用金刚线多线锯切割工艺,切割线的运动速度在20-25m/s之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的