[发明专利]一种超结功率器件

摘要

本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种超结功率器件。本发明提供的一种超结功率器件，其第一导电类型半导体漂移区中的第二导电类型半导体柱具有两种或两种以上的不同宽度(a1、a2……、an；n≥2)，且相邻两个所述第二导电类型半导体柱之间的间距有两种或两种以上的不同宽度(b1、b2……、bm；m≥2)，由于不同宽度和间距的超结柱耗尽所对应的漏源电压点不同，因而增加了米勒电容Cgd和漏源电容Cds骤降的源漏电压跨度，缓解了Cgd和Coss的骤降现象，减小电流电压的震荡。

主权项

一种超结功率器件，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极(1)、第一导电类型重掺杂衬底(2)、第一导电类型轻掺杂外延层(3)和金属化源极(10)；所述第一导电类型轻掺杂外延层(3)中具第二导电类型半导体柱(4)；所述第二导电类型半导体柱(4)与金属化源极(11)的下表面之间具有第二导电类型半导体体区(5)，所述第二导电类型半导体体区(5)上层具有相互独立并接触的第一导电类型半导体源区(6)和第二导电类型半导体重掺杂接触区(11)，且第二导电类型半导体重掺杂接触区(11)位于两侧的第一导电类型半导体源区(6)之间，第一导电类型半导体源区(6)和第二导电类型半导体重掺杂接触区(11)的上表面与金属化源极(10)接触；位于第一导电类型半导体源区(6)和与其相邻的第一导电类型轻掺杂外延层(3)之间的第二导电类型半导体体区(5)为沟道区；在两个相邻的第二导电类型半导体柱(4)之间的第一导电类型轻掺杂外延层(3)上表面具有嵌入金属化源极(11)中的栅极结构，所述栅极结构包括栅氧层(7)和位于栅氧层(7)上表面的多晶硅栅(8)，所述栅极结构向两侧延伸至部分第二导电类型半导体体区(5)以及部分第一导电类型半导体源区(6)的上表面；所述栅极结构与金属化源极(11)之间通过介质层(9)隔离；其特征在于，所述第二导电类型半导体柱(4)具有至少两种以上的不同宽度，且相且相邻所述第二导电类型半导体柱(4)之间的间距有至少两种以上的不同宽度，且第二导电类型半导体柱(4)与其临近的第一导电类型轻掺杂区域满足电荷平衡。