[发明专利]一种超结功率器件在审
| 申请号： | 201710665519.5 | 申请日： | 2017-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN107516678A | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 任敏;苏志恒;李佳驹;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种超结功率器件。本发明提供的一种超结功率器件，其漂移区中的所述第二导电类型半导体柱4有第一导电类型半导体柱5有两种或两种以上的不同浓度，且相邻的第二导电类型半导体柱4和第一导电类型半导体柱5满足电荷平衡。由于不同浓度的超结柱耗尽所对应的漏源电压点不同，因而增加了米勒电容Cgd和漏源电容Cds骤降的源漏电压跨度，缓解了Cgd和Coss的骤降现象，减小电流电压的震荡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种超结功率器件，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极(1)、第一导电类型重掺杂衬底(2)、第一导电类型轻掺杂外延层(3)和金属化源极(11)；所述第一导电类型轻掺杂外延层(3)中具有由交替排列的第二导电类型半导体柱(4)和第一导电类型半导体柱(5)形成的超结结构；所述第二导电类型半导体柱(4)与金属化源极(11)的下表面之间具有第二导电类型半导体体区(6)，所述第一导电类型半导体柱(5)与金属化源极(11)的下表面之间具有第一导电类型轻掺杂JFET区(13)，且第二导电类型半导体体区(6)的横向宽度越靠近金属化源极(11)越大，所述第二导电类型半导体体区(6)上层具有相互独立并接触的第一导电类型半导体源区(7)和第二导电类型半导体重掺杂接触区(12)，且第二导电类型半导体重掺杂接触区(12)位于两侧的第一导电类型半导体源区(7)之间，第一导电类型半导体源区(7)和第二导电类型半导体重掺杂接触区(12)的上表面与金属化源极(11)接触；位于第一导电类型半导体源区(7)和与其相邻的第一导电类型轻掺杂JFET区(13)之间的第二导电类型半导体体区(6)为沟道区；在所述第一导电类型轻掺杂JFET区(13)上表面具有嵌入金属化源极(11)中的栅极结构，所述栅极结构包括栅氧层(8)和位于栅氧层(8)上表面的多晶硅栅(9)，所述栅极结构完全覆盖第一导电类型轻掺杂JFET区(13)的上表面并向两侧延伸至部分第二导电类型半导体体区(6)以及部分第一导电类型半导体源区(7)的上表面；所述栅极结构与金属化源极(11)之间通过介质层(10)隔离；其特征在于，所述第二导电类型半导体柱(4)和第一导电类型半导体柱(5)均具有至少两种以上的不同浓度，且相邻的第二导电类型半导体柱(4)和第一导电类型半导体柱(5)满足电荷平衡。
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