[发明专利]一种单层二硒化钒二维材料的制备方法有效
| 申请号： | 201710665732.6 | 申请日： | 2017-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN107445157B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王业亮;刘中流;武旭;邵岩;高鸿钧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C01B32/21 | 分类号： | C01B32/21;C01B19/04 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单层二硒化钒二维材料的制备方法，包括如下步骤：1)将石墨基底进行机械剥离，将剥离后的石墨基底在真空环境下进行预处理，得到表面干净平整的石墨基底；2)将预处理后的石墨基底加热至250‑300℃，然后将硒原子和钒原子蒸发沉积到加热的石墨基底上，沉积反应30‑60min，反应结束后将石墨基底保温5‑10min，得到单层二硒化钒二维材料。本发明通过外延法在石墨基底上生长单层二硒化钒二维材料，由于石墨与二硒化钒仅通靠范德瓦尔斯力相互吸附，不会影响单层二硒化钒的电学性质，不仅有利于单层二硒化钒性质的研究，而且在未来信息电子学特别是自旋电子器件开发研究方面具有广发的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单层 二硒化钒 二维 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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