[发明专利]一种小线宽垂直型沟槽的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201710669348.3 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN109390227B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 刘文彬;王彦君;孙晨光;徐长坡;王万礼;刘晓芳;刘闯;张晋英;邢锡祥;李博;杜宏强;武鹏;王志明;赵杨;梅林 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明提供一种小线宽垂直型沟槽的刻蚀方法，包括对硅片采用干法刻蚀产生沟槽，干法刻蚀使用的刻蚀气体包括Cl |
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| 搜索关键词： | 一种 小线宽 垂直 沟槽 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种小线宽垂直型沟槽的刻蚀方法，其特征在于：包括对硅片采用干法刻蚀产生沟槽，所述干法刻蚀使用的刻蚀气体包括Cl2、CF4、HBr、NF3和HeO2，所述干法刻蚀中不施加下电极射频。
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