[发明专利]一种微缺陷太阳电池组件热斑温度计算的方法有效

专利信息
申请号: 201710669653.2 申请日: 2017-08-08
公开(公告)号: CN107478335B 公开(公告)日: 2019-11-08
发明(设计)人: 吴军;张臻;祝曾伟;陆悦;潘武淳;戴磊;刘志康;刘富光 申请(专利权)人: 河海大学常州校区
主分类号: G01J5/00 分类号: G01J5/00;G01N25/72
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林;张赏
地址: 213022 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种微缺陷太阳电池组件热斑温度计算的方法,具体为,选择微缺陷电池片,并将其分为点缺陷、线缺陷、面缺陷分别组装在组件中;将微缺陷电池片进行不同比例的遮挡,产生热斑效应;计算微缺陷电池片的温度。本发明可以快速对光伏组件热斑温度进行计算与预测,节省时间,有助于对组件的及时维护与检修,最终提高经济收益。
搜索关键词: 一种 缺陷 太阳电池 组件 温度 计算 方法
【主权项】:
1.一种微缺陷太阳电池组件热斑温度计算的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)选择缺陷类型为点缺陷、线缺陷、面缺陷的微缺陷电池片各一片,然后分别组装在组件中,一个组件中包含一种缺陷类型;2)将每个组件中的微缺陷电池片进行不同比例的遮挡,产生热斑效应;3)计算产生热斑效应的微缺陷电池片的温度,计算式为:P1=Vr*Ish,P2=Vr*Ire,其中,T热斑为产生热斑效应的微缺陷电池片的温度,Ta为环境温度,Irad为辐射,K、K1、K2均为常数系数,P1为遮挡产生的功率,A1为微缺陷电池片被遮挡的面积,P2为缺陷产生的功率,A2为缺陷的面积,Vr为微缺陷电池片两端反偏电压,Ish为微缺陷电池片的光生电流,Ire为微缺陷电池片的反偏漏电流。
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