[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
| 申请号： | 201710670014.8 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107706130B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 神谷将也;出村健介;松嶋大辅;中野晴香;伊万·彼得罗夫·加纳切夫 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/02 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 周善来;王玉玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，其能够提高对污染物的除去率。实施方式所涉及的基板处理装置具备：放置部，放置基板并使其旋转；液体供给部，向所述基板的所述放置部侧的相反侧的面供给液体；冷却部，向所述基板的所述放置部侧的面供给冷却气体；及控制部，对所述基板的转速、所述液体的供给量、所述冷却气体的流量中的至少任意一个进行控制。所述控制部使位于所述基板面上的所述液体处于过冷却状态，并冷冻处于所述过冷却状态的所述液体的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，具备：放置部，放置基板并使其旋转；液体供给部，向所述基板的所述放置部侧的相反侧的面供给液体；冷却部，向所述基板的所述放置部侧的面供给冷却气体；及控制部，对所述基板的转速、所述液体的供给量、所述冷却气体的流量中的至少任意一个进行控制，其特征为，所述控制部使位于所述基板面上的所述液体处于过冷却状态，并冷冻处于所述过冷却状态的所述液体的至少一部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芝浦机械电子株式会社，未经芝浦机械电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710670014.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于教育大数据处理的方法
- 下一篇：一种思想政治网络教学系统及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
