[发明专利]预清洗腔室和半导体加工设备有效

专利信息
申请号: 201710670724.0 申请日: 2017-08-08
公开(公告)号: CN109390197B 公开(公告)日: 2023-04-14
发明(设计)人: 姜鑫先;陈鹏 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 施敬勃
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种预清洗腔室和半导体加工设备。预清洗腔室包括腔体、顶盖、承载件和金属板,顶盖设置在腔体顶端,用于密封腔体,承载件设置在腔体底部,用以承载晶片,金属板水平设置在承载件和顶盖之间,且金属板上设置有贯穿其厚度的多个第一通气孔,金属板接地,以过滤等离子体中的离子,等离子体在金属板表面形成等离子体鞘层,预清洗腔室还包括绝缘保护板,绝缘保护板设置在金属板和顶盖之间,绝缘保护板上设置有贯穿其厚度的多个第二通气孔,绝缘保护板能够阻止离子在等离子体鞘层的电压的驱动下轰击金属板的表面。本发明的预清洗腔室,能够有效降低晶片表面的金属离子污染,提高清洗晶片的良率。
搜索关键词: 清洗 半导体 加工 设备
【主权项】:
1.一种预清洗腔室,包括腔体、顶盖、承载件和金属板,所述顶盖设置在所述腔体顶端,用于密封所述腔体,所述承载件设置在所述腔体底部,用以承载晶片,所述金属板水平设置在所述承载件和所述顶盖之间,且所述金属板上设置有贯穿其厚度的多个第一通气孔,所述金属板接地,以过滤等离子体中的离子,所述等离子体在所述金属板表面形成等离子体鞘层,其特征在于,所述预清洗腔室还包括绝缘保护板,所述绝缘保护板设置在所述金属板和所述顶盖之间,所述绝缘保护板上设置有贯穿其厚度的多个第二通气孔,所述绝缘保护板能够阻止所述离子在所述等离子体鞘层的电压的驱动下轰击所述金属板的表面。
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