[发明专利]一种珠串状SiC/SiO2

摘要

本发明公开了一种珠串状SiC/SiO2异质结构及其合成方法。本发明珠串状SiC/SiO2异质结构由包括SiC纳米线内芯、包裹在SiC纳米线内芯上的SiO2包覆层，以及排列分布的、与SiO2包覆层及SiC纳米线内芯同轴心的SiO2球组成。本发明合成方法通过球磨、烧结得到SiC‑Si陶瓷复合粉体，再通过进一步烧结，在SiC‑Si陶瓷复合粉体表面原位合成得到所述珠串状SiC/SiO2异质结构。本发明的合成方法工艺简单、稳定，成本低，高效，可实现大规模工业化生产，而且可通过调整制备工艺对珠串状SiC/SiO2异质结构的形貌和尺寸进行控制。